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平边

晶圆片圆周上的一个小平面，作为晶向定位的依据。

质量保证区(FQA)

晶圆片表面中央的大部分。

蚀刻

通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。

边缘轮廓

通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。

名义上边缘排除(EE)

质量保证区和晶圆片外围之间的距离。

边缘排除区域

位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。(根据晶圆片的尺寸不同而有所不同。)

芯片边缘和缩进

晶片中不完整的边缘部分超过0.25毫米。

掺杂

把搀杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。

搀杂剂

可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。晶圆片搀杂剂可以在元素周期表的III 和 V族元素中发现。

施主

可提供“自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为N型。

表面起伏

在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。

耗尽层

晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。

晶体缺陷

部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。

沾污颗粒

晶圆片表面上的颗粒。

导电类型

晶圆片中载流子的类型，N型和P型。